技術(shù)編號：6856907
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及具有歐姆電極的氮化鎵III-V族化合物半導(dǎo)體器件的制造方法。背景技術(shù) 近年來，采用GaN、GaAlN、InGaN、InAlGaN等氮化鎵系III-V族化合物半導(dǎo)體材料的發(fā)光器件備受關(guān)注。這類發(fā)光器件通常具有在襯底上將n型氮化鎵系化合物半導(dǎo)體層與摻p型摻雜劑的氮化鎵系化合物半導(dǎo)體層疊層的結(jié)構(gòu)。已往，摻p型摻雜劑的氮化鎵III-V族化合物半導(dǎo)體層仍是高阻i型，因而，已有的器件就是所謂的MIS結(jié)構(gòu)。最近，將高阻i型層轉(zhuǎn)化為低阻p型層的技術(shù)，例如已被特開...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。