技術(shù)編號(hào)：6856738
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，更詳細(xì)地說涉及NAND單元、NOR單元、DINOR單元、AND單元型EEPROM等的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。背景技術(shù) 以往，作為半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，已知有可以電氣改寫的EEPROM。而其中引人注目的是，串聯(lián)連接多個(gè)存儲(chǔ)器單元構(gòu)成NAND單元塊的NAND單元型EEPROM可以高度集成化。NAND單元型EEPEOM之一的存儲(chǔ)器單元，具有在半導(dǎo)體襯底上通過間隔絕緣膜積層浮置柵極(電荷蓄積層)和控制柵極的FET-MOS構(gòu)造。而后在多個(gè)存儲(chǔ)器單...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。