技術編號：6856140
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明通常涉及一種制備氮化物半導體的裝置，其通過在襯底上從上游到下游擴散包括III族元素的源氣體和V族元素的源氣體的氣體而結晶生長氮化物半導體。更具體地，本發(fā)明涉及一種用于制造氮化物半導體的改進的裝置，其中使氮化物半導體器件的特性在平面上變得均勻。本發(fā)明也涉及一種用于制造氮化物半導體激光器件的改進的方法，其中使氮化物半導體器件的特性在平面上變得均勻。本發(fā)明也涉及通過該方法所獲得的氮化物半導體激光器件。背景技術 以GaN、AlN、InN為代表的氮基III-V...
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