技術(shù)編號(hào)：6855728
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體激光裝置，特別詳細(xì)地涉及一種使橫模為高次?；蚨嗄碚袷幍?、帶寬為3μm以上的GaN系半導(dǎo)體激光芯片所發(fā)出激光束進(jìn)行波長合成(合波)的半導(dǎo)體激光裝置。背景技術(shù) 以往，作為發(fā)出600nm以下短波區(qū)域的光源，III-V族氮化物的AlInGaN類的半導(dǎo)體激光器受到關(guān)注。該AlInGaN等的GaN系材料是如非專利文獻(xiàn)1所記載，在藍(lán)·綠波長區(qū)域的半導(dǎo)體發(fā)光元件方面，具有極其優(yōu)越的特性，近來，正在開展利用該材料，在360～500nm波長區(qū)域振蕩的半導(dǎo)體激...
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