技術(shù)編號：6855690
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明的例子實施例總的來說涉及。更具體，本發(fā)明涉及在半導體器件的制造過程中除去多晶硅層中形成的空隙的方法。背景技術(shù) 通常，半導體存儲器件分為易失性存儲器和非易失性存儲器，易失性存儲器包括動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)和靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)，非易失性存儲器包括只讀存儲器(ROM)、電可擦和可編程ROM(EEPROM)以及快閃存儲器。經(jīng)過一段時間之后，易失性存儲器中的存儲的數(shù)據(jù)丟失，但是，該數(shù)據(jù)具有快速輸入/輸出功能。相反，經(jīng)過一段時間之后，非易失性...
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