技術(shù)編號(hào)：6855452
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般地涉及制作場(chǎng)效應(yīng)晶體管，更具體地涉及產(chǎn)生較淺和較陡峭(sharper)的結(jié)，同時(shí)最大化工藝中的摻雜劑活化，在硅襯底上外延生長(zhǎng)硅層之前該工藝增加硅襯底頂表面的氧含量，其中該增加的氧含量基本上將摻雜劑限制在外延硅層內(nèi)，而不會(huì)移動(dòng)到硅襯底中。背景技術(shù) 隨著器件被按比例縮小到越來越小的尺寸，在晶體管中需要較淺且較陡峭的結(jié)，以控制短溝道效應(yīng)和串聯(lián)電阻。在場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FETs)和其它類似的集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)中，減小氧化物厚度(按比例縮小氧化物)的能力變得更加...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。