技術(shù)編號(hào)：6855198
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種改善器件隔離效果的方法，尤其是。背景技術(shù) 在現(xiàn)代半導(dǎo)體器件制造工藝中，淺溝槽隔離(Shallow TrenchIsolation，簡(jiǎn)稱STI)工藝起著十分巨大的作用，STI工藝是通過在硅基板上挖出一個(gè)上寬下窄的梯形溝槽，然后在其中填入氧化硅，從而起到隔離效果。對(duì)于0.18um以下工藝，STI工藝可以在節(jié)省設(shè)計(jì)空間的同時(shí)起到良好的隔離效果。但是隨著現(xiàn)代半導(dǎo)體制造工藝的不斷發(fā)展，STI工藝也暴露出很多不足，尤其在其隔離效果上來說，往往還不能夠完全...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。