技術編號:6855195
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體激光器件,具體是指一種光子晶體結構的氮化鎵(GaN)基激光二極管(LD)。背景技術 GaN半導體材料具有在高頻、高溫條件下發(fā)射藍光的獨特性能,是繼Si和GaAs之后的新一代半導體材料。由GaN、InN和AlN所組成的合金InGaN、AlGaN等GaN基半導體材料,通過調整組分可以獲得從1.9eV到6.2eV連續(xù)可調的帶隙,覆蓋從紫外光到可見光很寬范圍的波段。這些GaN基半導體材料的內、外量子效率高,具備高發(fā)光效率、高熱導率、耐高溫、抗輻射、...
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