技術編號：6855140
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體超高壓元件，特別是涉及一種能夠與低壓元件兼容的超高壓MOS晶體管元件，同時可以解決柵極邊角所造成的超高垂直電場效應。背景技術 如本領域技術人員所知，將超高壓元件與低壓元件，如高/低壓金氧半導體(MOS)晶體管，同時整合制作的集成電路技術乃是現(xiàn)有技藝。請參閱圖1，其繪示的是現(xiàn)有超高壓NMOS晶體管元件的剖面示意圖?，F(xiàn)有超高壓NMOS晶體管元件1制作在半導體基底10上，例如P型硅基底，并且由場氧化層44所隔絕。一般來說，現(xiàn)有超高壓NMOS晶...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。