技術編號：6855032
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種金屬氧化物半導體晶體管(MOS transistor)及其制造方法，特別是涉及一種可防止硅化金屬層(metal silicide layer)損壞的。背景技術 目前在制作金屬氧化物半導體晶體管時，為了要提升通道移動率(channel mobility)，通常會在硅化金屬層形成后移除間隙壁。之后，可依照元件是N型或P型來選擇在基底上形成可當作接觸窗蝕刻中止層(contactetching stop layer，CESL)的一層高張力(tensi...
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