技術(shù)編號：6855008
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種低介電材料的處理方法，尤其涉及一種低介電材料的介電常數(shù)的回復(fù)方法。背景技術(shù) 隨著集成電路的蓬勃發(fā)展，為了降低因內(nèi)連線所導(dǎo)致的電阻-電容(resistance capacitance，RC)時間遲滯，以突破操作速度上所面臨的瓶頸，低介電材料已經(jīng)成為現(xiàn)今半導(dǎo)體工藝不可或缺的重要角色。為使低介電材料的介電常數(shù)更接近空氣的介電常數(shù)(＝1)，業(yè)界已研發(fā)出具有許多納米或次納米級孔隙的低介電材料。但是，這種多孔隙低介電材料在經(jīng)過蝕刻、灰化、溶劑清洗或是化學(xué)...
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