技術(shù)編號：6854920
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種制造一半導(dǎo)體器件的電容器的方法，并且更特別的是涉及一種用于形成一半導(dǎo)體器件的MIM(金屬-絕緣體-金屬)電容器的貯存節(jié)點電極的方法。背景技術(shù) 目前，根據(jù)借助其形成用于在集成度為128兆位的DRAM內(nèi)形成常規(guī)MIM層疊TiN貯存節(jié)點電極的接觸插塞的方法，在一襯底上形成位元線(在此襯底上形成包括金屬或硅化物層-氧化物-半導(dǎo)體等的晶體管半導(dǎo)體線路)，形成絕緣層，然后形成一貯存節(jié)點接觸孔。該貯存節(jié)點接觸具有一包括硅襯底和通過外延方式生長的摻雜硅或硅的...
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