技術(shù)編號：6854683
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種存儲器，特別是含有強(qiáng)電介質(zhì)電容器的存儲器。背景技術(shù) 以前，作為非易失性存儲器之一，強(qiáng)電介質(zhì)存儲器是公知的。這樣的強(qiáng)電介質(zhì)存儲器，例如在特開2001-210795號公報中被公開。另外，強(qiáng)電介質(zhì)存儲器，是將強(qiáng)電介質(zhì)的極化方向所引起的仿真電容變化用作存儲器元件的存儲器。另外，強(qiáng)電介質(zhì)存儲器在原理上兼具可高速且低電壓重寫數(shù)據(jù)這一優(yōu)點(diǎn)，以及具有非易失性這一優(yōu)點(diǎn)，作為一種理想的存儲器非常引人注目。圖23是表示以往的一例的1T1C型強(qiáng)電介質(zhì)存儲器的構(gòu)成的電...
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