技術(shù)編號：6854542
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。背景技術(shù)方法本發(fā)明通常涉及雙鑲嵌半導(dǎo)體制備方法，尤其涉及，在半導(dǎo)體制備方法中平面化部件和層的方法和系統(tǒng)。2、相關(guān)技術(shù)的描述雙鑲嵌制備方法在半導(dǎo)體制備中正在變得越來越普遍。在一個常用的雙鑲嵌制備方法中，先將一種或多種導(dǎo)電材料沉積于被組成圖案的溝槽和通道中以形成所期望的電路互連，溝槽和通道形成于半導(dǎo)體基片或形成于半導(dǎo)體基片上的膜中。經(jīng)常形成此導(dǎo)電材料的多余或過量部分。此導(dǎo)電材料的過量部分是多余的且不合需要的，并且為了制造鑲嵌特征和為了隨后步驟提供平坦的表面其必...
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