技術(shù)編號：6854434
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及蝕刻方法及蝕刻裝置，詳細地講，本發(fā)明涉及能夠適用于半導(dǎo)體裝置制造過程中的元件分離技術(shù)即淺槽隔離(ShallowTrench Isolation；STI)等的蝕刻方法及蝕刻裝置。背景技術(shù) 作為電氣分離形成在硅基板上的元件的技術(shù)，STI已為大家所熟知。在STI中，將氮化硅薄膜等作為掩模，對硅進行蝕刻從而形成槽，在槽內(nèi)埋入二氧化硅(SiO2)等的氧化膜后，通過化學(xué)機械研磨(CMP；Chemical Mechanical Polishing)處理實施將掩...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。