技術(shù)編號(hào)：6854136
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種形成半導(dǎo)體元件的方法，且特別是有關(guān)于一種形成記憶胞與同時(shí)。背景技術(shù) 記憶體元件是半導(dǎo)體中的重要元件之一，其是用來儲(chǔ)存電子資料。一般來說，不需要藉由周邊電源供應(yīng)即可儲(chǔ)存電子資料的記憶體元件是稱為非揮發(fā)性記憶體(Non-Volatile Memory)元件。目前常見的非揮發(fā)性記憶體包括可抹除可程式化的唯讀記憶體(Erasable Programmable ROMs，EPROMs)、可電除可程式化的唯讀記憶體(Electrically Eras...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。