技術(shù)編號(hào)：6853700
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及發(fā)光二極管，特別是一種利用等離激元效應(yīng)來(lái)提高光發(fā)射的量子效率的MIS(金屬-絕緣體-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu))深紫外(UV)發(fā)光二極管(LED)結(jié)構(gòu)。背景技術(shù) 深紫外(UV)發(fā)光二極管(LED)在照明、高密度光存儲(chǔ)、環(huán)境處理與檢測(cè)、生物、醫(yī)藥領(lǐng)域的應(yīng)用十分廣泛。深紫外發(fā)光二極管所利用的半導(dǎo)體材料最成熟的是AlGaN(3.4-6.2ev)、AlInGaN(能帶范圍0.7-6.2ev)體系，ZnMgO(能帶范圍3.3-7.8ev)體系還處于發(fā)展階段。這兩種材料(A...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。