技術(shù)編號：6853531
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是關(guān)于一種半導(dǎo)體元件(Semiconductor Device)的結(jié)構(gòu)與制造方法，特別是關(guān)于一種雙位元非揮發(fā)性存儲器(Double-bitNon-Volatile Memory(NVM))的結(jié)構(gòu)與制造方法。非揮發(fā)性存儲器(NVM)是一種速度快、體積小、省電且不怕振動的永久儲存媒體，所以其應(yīng)用非常廣泛，其中最主要的種類是閃存(Flash memory)，其特點是資料是一塊一塊(Block by Block)地抹除，而可以節(jié)省抹除操作所需的時間。傳統(tǒng)非揮...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。