技術(shù)編號：6853366
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體元件，特別是有關(guān)于一種磁阻性隨機存取存儲器元件及其制造方法。背景技術(shù) 磁阻性隨機存取存儲器(Magnetic Random AccessMemory，以下簡稱為MRAM)包含了MRAM堆疊(stack)，該堆疊有一介電層穿插于一固定磁軸層(pinned magnetic layer)與自由磁軸層(free magnetic layer)之間。各MRAM迭層(stacklayer)大致上呈平面狀且平行于一界面，且該MRAM元件便是形成...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。