技術(shù)編號(hào)：6853312
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種。背景技術(shù) 用于半導(dǎo)體器件的薄膜晶體管需要根據(jù)半導(dǎo)體器件的目的和功能具有不同的特性。控制薄膜晶體管的特性以滿足需求是很重要的，已經(jīng)研究了制造具有適合計(jì)劃用途的特性的薄膜晶體管的技術(shù)(例如，參照專利文獻(xiàn)1日本專利特開No.H9-27624)。在專利文獻(xiàn)1中，使用側(cè)壁形成包含具有輕摻雜漏區(qū)(LDD)結(jié)構(gòu)的雜質(zhì)區(qū)的薄膜晶體管，由此在薄膜晶體管的截止?fàn)顟B(tài)下使漏電流變小。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一個(gè)目的是不用復(fù)雜步驟和裝置制造具有所需特性的薄膜晶體管。本發(fā)明的...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。