技術(shù)編號：6853119
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。背景技術(shù)本發(fā)明涉及，更具體地說，涉及包含使至少一部分非單晶半導(dǎo)體薄膜結(jié)晶的半導(dǎo)體器件制造方法。通常，即使是單晶也涉及原子行的混亂(例如位錯)，并且難以將“單晶”與“接近于單晶的晶體”區(qū)分開，因此，應(yīng)注意，在本說明書中，將“接近于單晶的晶體”也描述為“單晶”。作為用于實現(xiàn)ULSI(超大規(guī)模集成電路)集成、低功耗和高速的技術(shù)，已知有用于在絕緣材料襯底或者絕緣膜上形成單晶硅的SOI(絕緣體上硅)技術(shù)。這種技術(shù)分為(1)在形成在單晶半導(dǎo)體晶片例如硅晶片上的絕緣膜上...
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