技術(shù)編號：6852746
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及到半導(dǎo)體襯底材料，更確切地說是涉及到包括基本上弛豫的高質(zhì)量SiGe合金層的半導(dǎo)體襯底材料。與現(xiàn)有技術(shù)的含有SiGe的襯底材料相比，位于其上表面上的本發(fā)明半導(dǎo)體襯底材料的SiGe合金層具有降低了的面缺陷密度。本發(fā)明還提供了一種制造本發(fā)明襯底材料的方法，其中，襯底材料的上部SiGe合金層具有降低了的面缺陷密度。背景技術(shù) 在半導(dǎo)體工業(yè)中，采用弛豫的SiGe層作為應(yīng)變硅層生長的樣板，已經(jīng)是用來產(chǎn)生有可能用于高性能互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)電路的張應(yīng)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。