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半導(dǎo)體器件和制造這種半導(dǎo)體器件的方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):6852561

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本發(fā)明涉及。更具體地說(shuō),本發(fā)明涉及當(dāng)半導(dǎo)體材料用作下層電極時(shí)有可能提高其中高絕緣層(含有大介電常數(shù)的絕緣層)的絕緣性能的半導(dǎo)體器件。本發(fā)明還涉及制造這種半導(dǎo)體器件的方法。一般來(lái)說(shuō),半導(dǎo)體器件具有其中絕緣層在下層電極和上層電極之間形成的結(jié)構(gòu),例如,其中絕緣層(柵絕緣層)和柵極依次在硅襯底上形成的晶體管結(jié)構(gòu),硅襯底起下層電極的作用;其中絕緣層和上層電極依次在下層電極上形成的電容器結(jié)構(gòu)。存在于上層電極和下層電極之間的絕緣層的絕緣性能是非常重要的。例如,在晶體管結(jié)...
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