技術(shù)編號(hào):6852561
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及。更具體地說(shuō),本發(fā)明涉及當(dāng)半導(dǎo)體材料用作下層電極時(shí)有可能提高其中高絕緣層(含有大介電常數(shù)的絕緣層)的絕緣性能的半導(dǎo)體器件。本發(fā)明還涉及制造這種半導(dǎo)體器件的方法。一般來(lái)說(shuō),半導(dǎo)體器件具有其中絕緣層在下層電極和上層電極之間形成的結(jié)構(gòu),例如,其中絕緣層(柵絕緣層)和柵極依次在硅襯底上形成的晶體管結(jié)構(gòu),硅襯底起下層電極的作用;其中絕緣層和上層電極依次在下層電極上形成的電容器結(jié)構(gòu)。存在于上層電極和下層電極之間的絕緣層的絕緣性能是非常重要的。例如,在晶體管結(jié)...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。