技術(shù)編號：6852270
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種，特別是關(guān)于一種可提升效能的。背景技術(shù) 隨著半導(dǎo)體科技的進展，塊硅(bulk silicon；傳統(tǒng)批次硅元件)以外的半導(dǎo)體基底的使用逐漸增加。常見的基底包含硅-鍺合金半導(dǎo)體基底、化合物半導(dǎo)體基底(包括砷化鎵半導(dǎo)體基底)、與絕緣層上覆硅(silicon on insulator；SOI)半導(dǎo)體基底。當(dāng)使用上述半導(dǎo)體基底制造半導(dǎo)體裝置時，其內(nèi)的半導(dǎo)體元件的效能都能有所提升，達到令人滿意的電性品質(zhì)。雖然如此，使用上述半導(dǎo)體基底制造半導(dǎo)體裝置時，...
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