技術(shù)編號(hào)：6852230
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶片工藝中的快速熱處理(rapid thermal processing，以下簡(jiǎn)稱為RTP)工藝，特別是涉及采旋轉(zhuǎn)半導(dǎo)體晶片方式進(jìn)行均勻熱處理的RTP方法。背景技術(shù) 在半導(dǎo)體工藝中，快速熱處理或RTP工藝用于快速并且均勻地加熱晶片，其通常被應(yīng)用在離子注入之后的摻雜物活化及擴(kuò)散、形成金屬硅化物之后的回火處理以與柵極氧化層的回火處理等方面。在RTP工藝中，單片晶片被放置在密閉的RTP反應(yīng)艙中，利用特定熱源及預(yù)設(shè)的升溫程序進(jìn)行加熱晶片，以快速達(dá)到...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。