技術(shù)編號：6852216
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用作形成高性能金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)器件的模板的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種包含在拉伸應(yīng)變絕緣體上SiGe(SGOI)上的應(yīng)變Si層的異質(zhì)結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還提供了一種形成本發(fā)明的半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)的方法。背景技術(shù)短語“應(yīng)變硅互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)”主要指的是在具有弛豫硅-鍺(SiGe)合金層上的薄應(yīng)變硅(應(yīng)變Si)層的襯底上制造的CMOS器件。應(yīng)變Si層中電子和空穴的遷移率已經(jīng)顯示出比體式硅層中更高，且具有應(yīng)變Si溝道的M...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。