技術(shù)編號(hào):6852189
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明通常涉及磁隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器器件,更具體而言,涉及用于選擇MRAM器件的各向異性軸角度以降低功耗的方法和結(jié)構(gòu)。背景技術(shù) 磁(或磁電阻)隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器(MRAM)是有潛力替代動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)以作為計(jì)算設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)器的非易失性隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器技術(shù)。利用MRAM作為非易失性RAM,最終將能夠?qū)崿F(xiàn)當(dāng)系統(tǒng)一開(kāi)啟時(shí)就會(huì)變得活躍的“即時(shí)啟動(dòng)(instant on)”的系統(tǒng),從而節(jié)省例如對(duì)于傳統(tǒng)PC在系統(tǒng)加電期間將引導(dǎo)數(shù)據(jù)從硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器傳輸?shù)揭资訢RAM所需...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。