技術(shù)編號：6851330
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總體來說涉及數(shù)據(jù)處理領(lǐng)域，更具體而言，涉及鰭型場效應(yīng)晶體管(FET)二極管或FinFET二極管結(jié)構(gòu)以及構(gòu)建該FinFET二極管結(jié)構(gòu)的方法。背景技術(shù) 可以以FinFET絕緣體上硅(SOI)技術(shù)來構(gòu)建二極管，該二極管與用目前的平面SOI技術(shù)或體CMOS(bulk CMOS)技術(shù)所構(gòu)建的二極管形式大致相同。如目前沒有使用任何Fin結(jié)構(gòu)來構(gòu)建二極管，可以僅僅使用平面器件來構(gòu)建二極管，所述平面器件被構(gòu)建得足夠?qū)捯詫?zhǔn)在柵極區(qū)上方的阻擋擴(kuò)散(block diff...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。