技術(shù)編號：6851323
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種，尤其涉及一種利用低能量晶化非晶Si膜、從而改善晶化的Si膜的表面粗糙度的方法。背景技術(shù) 美國專利No.4406709和美國專利No.4309225公開了一種。依照傳統(tǒng)的晶化非晶化Si膜的方法，通過將強激光束照射到非晶Si膜表面上使非晶Si膜瞬間熔化，并再使熔化的非晶Si膜冷卻，由此制備具有幾十μm厚度的晶化的Si膜。然而，在這種方法的情況下，由于晶化的Si晶粒的尺寸由激光束能量強度所決定，因此，高能量激光束是形成具有更小晶粒尺寸的Si晶體所...
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