技術(shù)編號(hào)：6851318
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種，特別涉及一種同時(shí)設(shè)置有邏輯區(qū)域、和具有擴(kuò)散布線層結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器區(qū)域的。背景技術(shù) 作為能夠電寫入的非易失存儲(chǔ)裝置，具有將擴(kuò)散布線層兼作存儲(chǔ)器晶體管的源極或者漏極的結(jié)構(gòu)(假接地方式)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置廣為人知，其中，該擴(kuò)散布線層以形成在半導(dǎo)體襯底的雜質(zhì)擴(kuò)散層作為布線。近年來，越來越要求半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的超細(xì)微化、高集成化、高性能化及高可靠性化，也越來越要求具有上述假接地方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置更加高速化。例如，在專利文獻(xiàn)1中記載有以往的具有假接地方式的、...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。