技術(shù)編號(hào):6851288
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是關(guān)于一種保護(hù)電路以防止半導(dǎo)體裝置因電漿所造成的損壞。背景技術(shù) 集成電路(IC)生產(chǎn)時(shí),通過(guò)電漿蝕刻形成的金屬或多晶硅導(dǎo)線(xiàn)以作為集成電路的內(nèi)連線(xiàn)。電漿蝕刻一般會(huì)產(chǎn)生累積在金屬或多晶硅導(dǎo)線(xiàn)的電荷。因?yàn)榻饘傺趸雽?dǎo)體閘極有相對(duì)高的電容,電漿-感應(yīng)電荷會(huì)累積在金屬氧化半導(dǎo)體裝置的閘極中,并進(jìn)入鄰近的介電材質(zhì)。同樣地,如果集成電路包含帶有很薄介電材質(zhì)的裝置,位于薄介電材質(zhì)上的金屬或多晶硅層也可能累積一定比例的電漿-感應(yīng)電荷。因電漿-感應(yīng)電荷引起的損壞包括在介...
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