技術(shù)編號(hào)：6851065
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體裝置，特別是有關(guān)于一種通過(guò)在半導(dǎo)體裝置中加入應(yīng)變硅來(lái)改善載流子遷移率的方法。背景技術(shù) 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFETs)為集成電路(ICs)中的常見(jiàn)元件。在柵極氧化層厚度以及柵極晶體管長(zhǎng)度不斷減小的趨勢(shì)下，半導(dǎo)體制作已可于每18～24個(gè)月內(nèi)倍增晶體管的切換速率，此即熟知的莫爾定律(Moore’s Law)現(xiàn)象。過(guò)去常通過(guò)減小柵極氧化層厚度以及源/漏極長(zhǎng)度的技巧來(lái)達(dá)成莫爾定律，然而該技術(shù)并無(wú)法滿(mǎn)足加速切換速率的市場(chǎng)需求。因...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。