技術(shù)編號(hào)：6851063
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種多層片狀電容器，更具體地，涉及一種在高頻電路中具有低等效串聯(lián)電感(ESL)的多層片狀電容器。背景技術(shù) 通常，多層片狀電容器具有小的尺寸，實(shí)現(xiàn)了高的電容，并易于安裝在基片上，因而被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備。多層片狀電容器被用作高頻電路的電容元件，尤其被用作排列在LSI的電源電路中的去耦電容器。為了在高頻電路中使用多層片狀電容器，該多層片狀電容器必須具有低ESL值。隨著電子設(shè)備的高頻和高電流趨勢(shì)，上述要求不斷提高。美國(guó)專利第5,880,925號(hào)提出...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。