技術(shù)編號(hào)：6850087
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明揭示生長(zhǎng)于大直徑的硅襯底上的高質(zhì)量的垂直結(jié)構(gòu)的氮化鎵基半導(dǎo)體發(fā)光二極管及其在硅晶片上生長(zhǎng)的技術(shù)和工藝，屬于半導(dǎo)體電子。背景技術(shù) 大功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管具有取代白熾燈的巨大前途，但是，首先要解決技術(shù)上的問題，主要問題包括，光取出效率低，散熱效率低，和生產(chǎn)成本高。為解決橫向結(jié)構(gòu)的大功率氮化鎵基半導(dǎo)體發(fā)光二極管的散熱問題，倒裝焊技術(shù)被提出。但是，倒裝焊技術(shù)工藝復(fù)雜，成本高。因此，大量的研究投入垂直結(jié)構(gòu)的氮化鎵基半導(dǎo)體發(fā)光二極管，垂直結(jié)構(gòu)的氮化鎵基半導(dǎo)體發(fā)光...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。