技術(shù)編號(hào):6849820
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及制造半導(dǎo)體器件的方法,其中圖形在一種材料中產(chǎn)生,該方法包括用一個(gè)下掩模層覆蓋該材料和用一個(gè)上掩模層覆蓋該下掩模層,通過(guò)光刻掩模的方法形成上掩模層上的第一圖形并取決于該第一圖形去除部分上掩模層。另外,本發(fā)明涉及一種用根據(jù)本發(fā)明的方法加工的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。背景技術(shù) 日本專利2000-223490的專利說(shuō)明書(shū)摘要敘述了一種半導(dǎo)體器件的制造。在硅氧化薄膜上形成一個(gè)有機(jī)層。然后該有機(jī)層由兩個(gè)疊加的有機(jī)掩模覆蓋,因此下有機(jī)掩模保護(hù)該有機(jī)層同時(shí)去除光刻膠。和該現(xiàn)有...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。