技術(shù)編號：6849720
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用于去除吸附到基板上的有機(jī)污染物的裝置和方法，尤其涉及一種用于測量形成在基板上的薄膜厚度的技術(shù)。背景技術(shù) 近年來，當(dāng)半導(dǎo)體產(chǎn)品的電路圖案基于標(biāo)度律(scaling law)變得越細(xì)時，在半導(dǎo)體制造過程中形成在半導(dǎo)體基板(下面將被稱為“基板”)上的膜厚度就變得越小?？梢灶A(yù)計(jì)在將來，例如用作柵級絕緣體的二氧化硅(SiO2)的膜厚度等于或小于1納米，以用于65納米的技術(shù)節(jié)點(diǎn)(即節(jié)點(diǎn)長度(nodelength))。另一方面，眾所周知，膜厚度的光學(xué)測量...
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