技術編號：6849637
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及。背景技術 近年來，由于半導體器件的工作速度本要求，諸如銅等的低電阻材料被用作互連材料。鑲嵌工藝包括用鑲嵌工藝僅形成一個互連的單鑲嵌工藝，和連接栓塞以及互連也嵌入連接孔與互連溝槽中的雙鑲嵌工藝。圖18A到18E示出了通過雙鑲嵌工藝形成連接栓塞與互連的方法的剖面圖。圖18A是形成包含銅220a的第一金屬互連的步驟的工藝剖面圖。介紹了直到圖18A的情形的工藝。首先，在其上形成例如晶體管等元件的半導體襯底210上形成第一氮化硅膜212和第一二氧化硅膜2...
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