技術(shù)編號：6848545
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及低閾值中紅外InP基含砷含磷量子級聯(lián)激光器結(jié)構(gòu)及其不間斷連續(xù)生長制備方法。屬于半導(dǎo)體光電材料與器件。背景技術(shù) 2-14μm中紅外波段由於它含有3-5μm，8-14μm兩個極重要的大氣窗口，在大氣保密通信具有重要的應(yīng)用價值，又由於分子、原子振動、旋轉(zhuǎn)，許多氣體的特征“指紋”吸收譜線落於2-14μm中紅外波段，在痕量氣體檢測、化學(xué)化工生產(chǎn)過程監(jiān)控、醫(yī)學(xué)診斷、生化毒氣監(jiān)控有重要的應(yīng)用價值，因此，工作于2-14μm波段的半導(dǎo)體激光器是應(yīng)用于上述兩個領(lǐng)域的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。