技術(shù)編號(hào)：6848489
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種金屬硅化物的形成方法，尤其涉及一種。背景技術(shù) 超大規(guī)模集成電路制造中，在自對(duì)準(zhǔn)難熔金屬硅化物工藝中，絕大部份有源區(qū)被低電阻的難熔金屬硅化物覆蓋著，在形成硅化物時(shí)，必須清除在有源區(qū)(active and poly)所有的二氧化硅，現(xiàn)在做法是用射頻等離子(RF sputter)濺射刻蝕去清除二氧化硅(SiO2)等雜質(zhì)，然后淀積難熔金屬，特別是鈷(Co)，鎳(Ni)進(jìn)而形成難熔金屬硅化物?，F(xiàn)有方法如圖1所示，首先，進(jìn)行前濕法處理；其次，進(jìn)行等離子濺...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。