技術編號：6847843
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于化合物半導體，特別是指一種砷化鎵(GaAs)基集成增強/耗盡型膺配高電子遷移率晶體管(PHEMTs)的材料結構。背景技術 高電子遷移率晶體管(HEMT)器件具有迄今為止的最高單位電流增益截止頻率和最低噪聲系數。然而到目前為止，在應用高電子遷移率晶體管(HEMT)器件的電路設計中，只有耗盡型HEMT器件得到廣泛的使用，例如傳統(tǒng)的緩沖場效應管邏輯電路(BFL)或源耦合場效應管邏輯電路(SCFL)應用在實際的電路設計中，由于在這些電路中采用耗盡型高電子...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。