技術(shù)編號(hào)：6847806
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本項(xiàng)發(fā)明屬于光電，具體涉及結(jié)合金屬有機(jī)物化學(xué)汽相淀積(MOCVD)外延生長(zhǎng)技術(shù)、激光剝離和倒封裝技術(shù)的一種功率型半導(dǎo)體發(fā)光二極管(LED)芯片的制備方法。本發(fā)明提出一種通過生長(zhǎng)直接獲得分立晶粒LED芯片的方法，提供LED芯片的幾何圖形設(shè)計(jì)不受LED芯片后工藝限制的新途徑，適用于獲得新型、大功率LED的制備。背景技術(shù) 通常，LED是在襯底上外延生長(zhǎng)獲得的，因而，LED的制備受到襯底晶體的晶格結(jié)構(gòu)的制約。晶格失配、熱膨脹系數(shù)的差異，使外延生長(zhǎng)階段的芯片外延層中...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。