技術(shù)編號(hào)：6847706
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體發(fā)光二極管的生長襯底和外延層的表面上制備表面紋理結(jié)構(gòu)，以及一種局部化和最小化由于晶格常數(shù)和熱漲系數(shù)的失配造成的位錯(cuò)和畸變效應(yīng)的方法。半導(dǎo)體芯片中的外延層的晶格常數(shù)和熱漲系數(shù)應(yīng)該與生長襯底的晶格常數(shù)和熱漲系數(shù)相匹配，并且越接近越好。晶格常數(shù)失配的效應(yīng)可以由相干應(yīng)變和其它機(jī)制調(diào)節(jié)，譬如彎曲外延層和在界面層產(chǎn)生位錯(cuò)，但會(huì)造成晶片質(zhì)量不佳。為降低晶格常數(shù)的失配，在生長襯底和外延層之間，生長單層或多層緩沖層。然而，緩沖層不能完全消除生長襯底與外延層...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。