技術(shù)編號(hào):6847688
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體晶片加工設(shè)備用配件,尤其涉及一種電感耦合線圈及其電感耦合等離子體裝置。背景技術(shù) 目前,隨著電子技術(shù)的高速發(fā)展,人們對(duì)集成電路的集成度要求越來(lái)越高,這就要求生產(chǎn)集成電路的企業(yè)不斷地提高半導(dǎo)體晶片的加工能力。等離子體裝置廣泛地應(yīng)用于制造集成電路(IC)或MEMS器件的制造工藝中。其中電感耦合等離子體裝置(ICP)被廣泛應(yīng)用于刻蝕等工藝中。在低壓下,反應(yīng)氣體在射頻功率的激發(fā)下,產(chǎn)生電離形成等離子體,等離子體中含有大量的電子、離子、激發(fā)態(tài)的原子...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。