技術(shù)編號(hào):6847390
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。背景技術(shù)1、發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種。2、相關(guān)技術(shù)一種采用大能帶隙半導(dǎo)體來(lái)作為發(fā)射極的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(下文稱作HBT)作為用于手機(jī)或類似設(shè)備的高頻模擬器件已經(jīng)獲得了關(guān)注。特別是,一種采用InGaP來(lái)作為發(fā)射極的InGaP/GaAs HBT由于其具有下述的優(yōu)點(diǎn)作為一種具有高性能和高可靠性的器件已經(jīng)被商業(yè)應(yīng)用,其優(yōu)點(diǎn)是由于價(jià)帶不連續(xù)能量(ΔEv)大,所以電流放大因子(HFE)與溫度的相關(guān)性?。灰约耙?yàn)榧炔淮嬖诮缑嫦葳迕芏纫膊淮嬖贒X中心(參見(jiàn),例如,日本特開(kāi)平...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
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