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異質(zhì)結(jié)雙極晶體管及其制造方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):6847390

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背景技術(shù)1、發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種。2、相關(guān)技術(shù)一種采用大能帶隙半導(dǎo)體來(lái)作為發(fā)射極的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(下文稱作HBT)作為用于手機(jī)或類似設(shè)備的高頻模擬器件已經(jīng)獲得了關(guān)注。特別是,一種采用InGaP來(lái)作為發(fā)射極的InGaP/GaAs HBT由于其具有下述的優(yōu)點(diǎn)作為一種具有高性能和高可靠性的器件已經(jīng)被商業(yè)應(yīng)用,其優(yōu)點(diǎn)是由于價(jià)帶不連續(xù)能量(ΔEv)大,所以電流放大因子(HFE)與溫度的相關(guān)性?。灰约耙?yàn)榧炔淮嬖诮缑嫦葳迕芏纫膊淮嬖贒X中心(參見(jiàn),例如,日本特開(kāi)平...
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