技術(shù)編號(hào)：6847344
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用于形成半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的隔離膜的方法。更具體而言，本發(fā)明涉及一種用于形成半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的隔離膜的方法，其中當(dāng)執(zhí)行利用淺溝槽隔離(STI)形成半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的隔離膜的工藝時(shí)，可縮短從形成溝槽的工藝至形成隔離膜的工藝所執(zhí)行的使用DHF溶液的清洗工藝時(shí)間，從而使形成于隔離膜中的溝(moat)的深度最小化。背景技術(shù) 通常，在例如快閃存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)器件中，使用淺溝槽隔離(STI)來作為隔離膜形成工藝。STI已解決在現(xiàn)存LOCOS(硅的局部氧化)方式中所...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。