技術(shù)編號：6846968
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的一個實施例涉及半導(dǎo)體器件制造并涉及具有階梯柵(stepgate)的半導(dǎo)體器件。背景技術(shù) 為了通過提高動態(tài)隨機(jī)訪問存儲器(DRAM)器件中的刷新時間而增強(qiáng)刷新特性，主要是該器件的電容器特性已得到改善。然而，由于器件的集成度已增加，僅利用電容器特性的改善來提高刷新時間是有局限性的。典型地，門限電壓依賴于溝道長度而改變，并且單元的刷新特性相應(yīng)地也改變。為了刷新特性的改善，應(yīng)增加溝道長度，并且因此使用了一種用于增加?xùn)烹姌O臨界尺度(CD)的方法。然而，為了增...
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