技術(shù)編號(hào)：6846929
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明微電子，特別涉及一種多晶硅柵刻蝕終點(diǎn)的檢測(cè)方法及檢測(cè)裝置。襯底一般需在等離子體腔室環(huán)境下進(jìn)行生產(chǎn)，多采用光刻和刻蝕工藝。在多晶硅刻蝕應(yīng)用中，在刻蝕過程中，由適當(dāng)?shù)目涛g氣源電離形成等離子體，對(duì)沒有被光膠圖形覆蓋的部分進(jìn)行刻蝕。當(dāng)刻蝕進(jìn)行到將柵氧層全部暴露時(shí)，刻蝕過程立即終止。在所有的等離子體刻蝕過程中都伴隨著有200-800nm波段的發(fā)射光譜從氣相反應(yīng)物及產(chǎn)物、吸收的基團(tuán)或是正在被刻蝕的薄膜中釋放出來。在等離子體刻蝕的終點(diǎn)，會(huì)同時(shí)在氣相和薄膜上發(fā)生化學(xué)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。