技術(shù)編號：6846849
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明關(guān)于一種半導(dǎo)體制造方法，特別是有關(guān)一種淺溝渠隔離(ShallowTrench Isolation；STI)制造方法。背景技術(shù) 在半導(dǎo)體制程中，傳統(tǒng)上最廣泛運用在主動區(qū)隔離的技術(shù)是局部硅氧化法(LOCOS)，然而LOCOS會產(chǎn)生鳥嘴侵入主動區(qū)，當金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)元件的通道長度微縮至0.25微米以下，LOCOS已經(jīng)難以符合元件絕緣及集成度的需求。STI是0.25微米以下的MOS制程中最普遍也最重要的隔離技術(shù)，其將二氧化硅回填在STI溝渠中，并施...
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