技術(shù)編號：6846844
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及氮化物半導(dǎo)體激光二極管，尤其涉及在n型層上具有脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)的氮化物半導(dǎo)體激光二極管的制作方法。背景技術(shù) 通常，氮化物半導(dǎo)體激光二極管已開發(fā)并制造應(yīng)用于大容量信息存儲設(shè)備及彩色打印機(jī)。另外，利用氮化物半導(dǎo)體激光二極管還有各種應(yīng)用。為了將氮化物半導(dǎo)體激光二極管應(yīng)用于大容量信息存儲設(shè)備及彩色打印機(jī)，要求氮化物半導(dǎo)體激光二極管具有包括低閾值電流(Ith)、高外部量子效率(ηex)和低工作電壓(VOP)特性以提供涉及使用壽命和低功耗的高可靠性。低工作電壓是氮化...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。