技術(shù)編號：6846833
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及。具體地說，本發(fā)明涉及，其中在襯底上形成由電介質(zhì)材料或金屬材料制成的掩模材料膜圖案，在制作氮化物半導(dǎo)體薄膜時在形成聚并之前去除掩模材料膜圖案，然后氮化物半導(dǎo)體薄膜再側(cè)向制作，從而形成具有空隙和較少缺陷的平面氮化物半導(dǎo)體薄膜。背景技術(shù) 通常，包括GaN(氮化鎵)的AlGaInN基氮化物半導(dǎo)體材料是具有從紫外線到可見光范圍的發(fā)光波長和較高的化學(xué)和熱穩(wěn)定性的材料。這樣，這些材料有效地用于高溫和高輸出電子器件中。近來，光學(xué)器件如發(fā)光二極管(LEDs)和激...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。